CST系統(tǒng)級RS仿真（六）- 單點(diǎn)加擾模式仿真

作者 | Zhou Ming

上一期介紹了掃頻模式的仿真，CST系統(tǒng)級RS仿真（五）——EUT測試布置建模及掃頻模式仿真 。通過前面的掃描模式仿真，可以看到cable上有多個(gè)頻點(diǎn)噪聲較高，我們選擇其中一個(gè)比較高的183.6MHz，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，接下來我們進(jìn)行單頻點(diǎn)加擾仿真。

大家還記得我們介紹過如何生成調(diào)制信號，CST系統(tǒng)級RS仿真（四）——生成RS調(diào)制信號 。根據(jù)CST系統(tǒng)級RS仿真（三）——RS仿真場地較準(zhǔn)（單點(diǎn)加擾模式）提到的校準(zhǔn)方法，我們需要對這個(gè)調(diào)制信號進(jìn)行幅度修訂。以10V/m的干擾等級為例，原始信號要乘以15.4，得到真實(shí)的激勵(lì)信號，經(jīng)過幅度修訂后，調(diào)制信號的峰峰值接近120V。

接下來創(chuàng)建Trans任務(wù)，因?yàn)檎{(diào)制信號的周期比較長，建議仿真時(shí)間>1000us，這樣能夠看到一個(gè)完整的調(diào)制周期信號。

經(jīng)過仿真之后，我們最終拿到了調(diào)制信號加擾情況下，受擾設(shè)備上的干擾波形。

下圖是DC+與DC-之間的差模噪聲，從時(shí)域波形可以看到調(diào)制信號的包絡(luò)，這也是時(shí)域仿真的優(yōu)勢。

下圖是PCB板上C1_1_2電容上的差模噪聲。

我們在RS仿真過程中，還可以同時(shí)給電源添加開關(guān)激勵(lì)信號，這樣電源也可以處于工作狀態(tài)，這里不再舉例，感興趣的小伙伴可以自己嘗試。

至此，關(guān)于系統(tǒng)級RS仿真的內(nèi)容我們已更新了六期，涵蓋了從天線建模、場地校準(zhǔn)、信號生成、測試布置到最終施加干擾的各環(huán)節(jié)。該系列暫告一段落，仍歡迎各位讀者留言討論。